אינטל: פריצת דרך בייצור השבבים

ענקית השבבים הודיעה על פיתוחו של שבב זיכרון SRAM מהיר במיוחד, שייוצר בטכנולוגיית 65 ננומטר. מיזעור הרכיבים יאפשר פיתוח מעבדים מהירים וחסכוניים יותר בצריכת האנרגיה

אינטל הודיעה אתמול (ב') על פריצת דרך בטכנולוגיית ייצור השבבים, וחשפה שבב זיכרון מסוג SRAM עם 70 מגהביט, המבוסס על טכנולוגיית ייצור שבבים של 65 ננומטר. רכיבי ה-SRAM משולבים בתוך המעבד, ומתפקדים כזיכרון מטמון, המביא להאצת מהירות העיבוד.

 

לטרנזיסטורים בשבבי 65 ננומטר החדשים ישנם מתגים שגודלם 35 ננומטר בלבד, זאת, בהשוואה למתגים שמצויים בשבבי 90 ננומטר הנוכחיים, שגודלם 30% יותר. לשם השוואה, יש צורך ב-100 מהמתגים הללו על מנת למלא את קוטרה של כדורית דם אדומה אחת.

 

לדברי ענקית השבבים, מדובר באבן דרך משמעותית כל הנוגע לייצור שבבים, שתבוא לידי ביטוי בייצורם של שבבי 65 ננומטר שיוצעו כבר ב-2005, ויאפשרו לה לספק מעבדים מהירים יותר, שבמקביל, יצרכו פחות חשמל.

 

עם זאת, מאחר ותהליך הקטנת הטרנזיסטורים מביא לעוצמה והתחממות מוגברות - אינטל הודיעה כי תתמודד עם הבעיות הללו באמצעות שילובם של מאפייני חסכון באנרגיה בתהליך הייצור של השבבים.

 

הטכנולוגיה המאפשרת את הקטנת הטרנזיסטורים מבלי לאבד עוצמה כבר משמשת את אינטל בייצור שבבי 90 ננומטר, ונקראת "סיליקון דחוס". לדברי החברה, הטכנולוגיה מאפשרת לה לשפר את מהירות העבודה של השבב עצמו, באמצעות הפרדת האטומים זה מזה, המאפשרת זרימה מהירה יותר של האלקטרונים.

 

פיתוח זה מקביל לקביעה של "חוק מור", הגורס כי בכל שנתיים מוכפל מספר הטרנזיסטורים במעבד, מה שמביא לביצועים משופרים, מחיר נמוך, ותוספות ויכולות חדשות.